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  Transistor  (9’523 Angebote unter 5’242’156 Artikeln)

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"Transistor"

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Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. , 1200 V 4,3 kW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 4,3 kW
Infineon
FZ900R12KE4HOSA1
ab CHF 238.28*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI 2SC3647S-TD-E TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, SOT-89 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V Be...
onsemi
2SC3647S-TD-E
ab CHF 0.20*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI 2SA2040-TL-E TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -50V, TO-252-3 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 290 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 V Bet...
onsemi
2SA2040-TL-E
ab CHF 0.411*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 305 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IGW50N65F5FKSA1
ab CHF 3.54*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI 2SC3649S-TD-E TRANSISTOR, NPN, 160V, 1.5A, SOT-89 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 V Be...
onsemi
2SC3649S-TD-E
ab CHF 1.145*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 950 A ±20V max. 6-fach, 750 V 870 W HybridPACK (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 950 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = HybridPACK
Infineon
FS950R08A6P2BBPSA1
ab CHF 3’602.95002*
pro 6 Stück
 
 Packung
ONSEMI 2SA2202-TD-E TRANSISTOR PNP, -100V, -2A, 3.5W, SOT-89 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V Be...
onsemi
2SA2202-TD-E
ab CHF 0.199*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V AG-62MM N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Dual Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = Serie
Infineon
FF600R12KT4HOSA1
ab CHF 204.34*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 305 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
ab CHF 3.68*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul 5.7V max., 2 V 833 W, 3-Pin PG-TO247-3 N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 2 V Gate-Source Spannung max. = 5.7V Verlustleistung max. = 833 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Der Infineo...
Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1
ab CHF 10.07*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI 2SC5226A-4-TL-E TRANSISTOR, HF, NPN, 10V, 7GHZ, SC-70 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10 V Betri...
onsemi
2SC5226A-4-TL-E
ab CHF 0.55*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 650 A +/-20V max., 150 V 335 W Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 650 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 335 W Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
F3L150R07W2E3B11BOMA1
ab CHF 1’165.90005*
pro 15 Stück
 
 Packung
ONSEMI 2SC3647T-TD-E TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, SOT-89 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V Be...
onsemi
2SC3647T-TD-E
ab CHF 0.19*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 90 A ±20V max. Triple, 600 V 333 W PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 90 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 333 W Gehäusegröße = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
ab CHF 3.04*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI 2SC3649T-TD-E TRANSISTOR, NPN, 160V, 1,5A, SOT-89 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 V Be...
onsemi
2SC3649T-TD-E
ab CHF 1.245*
pro 5 Stück
 
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