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Vishay TrenchFET SIRA90DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1349698
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIRA90DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     5059040666023
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,15 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 102 nC @ 10 V
Höhe = 1.12mm

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
100 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
1,15 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2V
Gate-Schwellenspannung min.:
0.8V
Verlustleistung max.:
104 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
+20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
102 nC @ 10 V
Höhe:
1.12mm
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 100a, 1349698, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIRA90DPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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