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"IGBT"

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TEXAS INSTRUMENTS UCC27511DBVR DRIVER, MOSFET/IGBT, 6SOT-23 (1 Angebot) 
Quellstrom: 4 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Invertierend, nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 18 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Sinkstr...
Texas Instruments
UCC27511DBVR
ab CHF 0.477*
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Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 38 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = TO-220-3
Infineon
IKP28N65ES5XKSA1
ab CHF 2.13*
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 254 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65DHRC11
ab CHF 4.34*
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 Stück
Infineon IGBT / 300 A ±20V max., 1700 V 1,8 kW, 7-Pin CTI (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1,8 kW Gehäusegröße = CTI Montage-Typ = Tafelmontage Pinanzahl = 7
Infineon
FF300R17KE4HOSA1
ab CHF 207.22*
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TEXAS INSTRUMENTS UCC5320ECD MOSFET/IGBT DRIVER, HIGH/LOW SIDE, NSOIC (1 Angebot) 
Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Invertierend, nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - ...
Texas Instruments
UCC5320ECD
ab CHF 1.62*
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 Stück
Infineon IGBT / 34 A 20V max. , 600 V 100 W D2PAK (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
ab CHF 4.97*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 254 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 254 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65HRC11
ab CHF 2.80*
pro Stück
 
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WEEN SEMICONDUCTORS WG50N65DHWQ IGBT, 650V, 91A, 150°C, 278W (1 Angebot) 
Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 150 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinuierlicher Kollektorstrom:...
WeEn Semiconductors
WG50N65DHWQ
ab CHF 1.49*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 34 A 20V max. , 600 V 100 W D2PAK (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 100 W Gehäusegröße = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
ab CHF 3.35*
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ROHM RGW60TK65GVC11 IGBT, 1FACH, 650V, 33A, TO-3PFM (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-3PFM Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 V Kontinuierlicher Kollekto...
ROHM Semiconductor
RGW60TK65GVC11
ab CHF 2.30*
pro Stück
 
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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 650 V 178 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 178 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65DHRC11
ab CHF 3.84*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 40 A +/-20V max. , 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 170 W Gehäusegröße = PG-TO220-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
Infineon
IGP20N60H3XKSA1
ab CHF 0.98*
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 Stück
ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 650 V 178 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65HRC11
ab CHF 2.08*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 34 A 30V max. , 650 V 35,3 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 30V Verlustleistung max. = 35,3 W Gehäusegröße = PG-TO220 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
Infineon
IKA15N65ET6XKSA2
ab CHF 0.96*
pro Stück
 
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ROHM RGW80TK65GVC11 IGBT, 1FACH, 650V, 39A, TO-3PFM (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-3PFM Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 V Kontinuierlicher Kollekto...
ROHM Semiconductor
RGW80TK65GVC11
ab CHF 2.49*
pro Stück
 
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