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  IGBT  (1'705 Angebote unter 5'236'145 Artikeln)

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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 174 W To-247GE (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 174 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH50TS65DGC13
ab CHF 2.17*
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STMICROELECTRONICS STGW25S120DF3 IGBT, EINFACH, 1.2KV, 50A, TO-247-3 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierlicher Kollekto...
ST Microelectronics
STGW25S120DF3
ab CHF 5.54*
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 Stück
Infineon IGBT / 30 A 25 V, ±20 V max., 1200 V 200 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25 V, ±20 V Verlustleistung max. = 200 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3
Infineon
IKW15N120BH6XKSA1
ab CHF 1.89*
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 174 W To-247GE (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGTH50TS65GC13
ab CHF 1.93*
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Infineon IGBT / 30 A 25 V, ±20 V max., 1200 V 200 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25 V, ±20 V Verlustleistung max. = 200 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der bipolare Transi...
Infineon
IKW15N120BH6XKSA1
ab CHF 2.06*
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STMICROELECTRONICS STGW30H65FB TRANSISTOR, IGBT, 650V, 60A, TO-247 (1 Angebot) 
Produktpalette: Trench HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 V Kontinuierlicher ...
ST Microelectronics
STGW30H65FB
ab CHF 1.63*
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Infineon IGBT / 30 A 20V max., 650 V 185 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 185 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IKW30N65WR5XKSA1
ab CHF 1.96*
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ROHM RGTH60TK65GC11 IGBT, 650V, 28A, 175DEG C, 61W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-3PFM Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGTH60TK65GC11
ab CHF 2.31*
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Infineon IGBT / 30 A 25V max. , 1200 V 156 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
Infineon
IHW15N120E1XKSA1
ab CHF 1.69*
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STMICROELECTRONICS STGWA15S120DF3 IGBT, EINFACH, 1.2KV, 30A, TO-247-3 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 V Kontinuierlicher Kollekt...
ST Microelectronics
STGWA15S120DF3
ab CHF 2.65*
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Infineon IGBT / 30 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 105 W, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 105 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Pinanzahl = 3 Der bipolare Infine...
Infineon
IKB15N65EH5ATMA1
ab CHF 1.80*
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ROHM RGTH80TK65GC11 IGBT, 650V, 31A, 175DEG C, 66W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-3PFM Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGTH80TK65GC11
ab CHF 2.43*
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Infineon IGBT / 30 A 25V max. , 1200 V 156 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = PG-TO247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
Infineon
IHW15N120E1XKSA1
ab CHF 1.55*
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STMicroelectronics IGBT / 40 A 20V max. , 650 V 147 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 147 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfi...
ST Microelectronics
STGWA20HP65FB2
ab CHF 1.19*
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ROHM IGBT / 70 A ±30V max. , 650 V 234 W To-247GE (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 234 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH80TS65DGC13
ab CHF 3.41*
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