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Infineon IGBT / 34 A 30V max. , 650 V 35,3 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 30V Verlustleistung max. = 35,3 W Gehäusegröße = PG-TO220 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
Infineon
IKA15N65ET6XKSA2
ab CHF 0.82*
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ROHM RGW80TK65GVC11 IGBT, 1FACH, 650V, 39A, TO-3PFM (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-3PFM Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 V Kontinuierlicher Kollekto...
ROHM Semiconductor
RGW80TK65GVC11
ab CHF 2.48*
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 214 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65DHRC11
ab CHF 3.98*
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Infineon IGBT / 40 A ±20 V, ±25 V max., 1350 V 310 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1350 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±25 V Verlustleistung max. = 310 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3
Infineon
IHW20N135R5XKSA1
ab CHF 2.77*
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 214 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65HRC11
ab CHF 2.74*
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Infineon IGBT / 34 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 111 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 111 W Gehäusegröße = PG-TO247-3-AI Pinanzahl = 3 Transistor-Konfi...
Infineon
IKFW40N60DH3EXKSA1
ab CHF 3.64*
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 348 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 348 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65HRC11
ab CHF 5.22*
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Infineon IGBT / 34 A 20V max. , 600 V 100 W D2PAK (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
ab CHF 5.02*
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STARPOWER DG50Q12T2 TRANS. IGBT 1.2KV/80A/672W/TO-247 PLUS (1 Angebot) 
Produktpalette: DOSEMI Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Bauform - Transistor: TO-247 Plus Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 V Kontinuierlicher ...
STARPOWER
DG50Q12T2
ab CHF 5.64*
pro Stück
 
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Infineon IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 78 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 78 W Gehäusegröße = To-247-3-HCC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanz...
Infineon
IKWH40N65WR6XKSA1
ab CHF 1.42*
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STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 167 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Pinanzahl = 3 Die Serie STMicroelectr...
ST Microelectronics
STGB30H65DFB2
ab CHF 1.03*
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Infineon IGBT / 38 A 20V max. , 650 V 130 W TO-220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 38 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = TO-220-3
Infineon
IKP28N65ES5XKSA1
ab CHF 2.12*
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STMICROELECTRONICS STGB40V60F TRANSISTOR, IGBT, 600V, 80A, TO-263 (1 Angebot) 
Produktpalette: Trench V Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspa...
ST Microelectronics
STGB40V60F
ab CHF 1.28*
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STMICROELECTRONICS STGD10HF60KD TRANSISTOR, IGBT, 600V, 18A, TO-252 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, max.: 150 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5 V Ko...
ST Microelectronics
STGD10HF60KD
ab CHF 1.014*
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Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 166 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 166 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der Infineon bipolare Trans...
Infineon
AIKW20N60CTXKSA1
ab CHF 3.74*
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