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DELL B116XW01 V0 Laptop-Ersatzteil Anzeige (1 Angebot)
Dell
B116XW01 V0
ab CHF 222.90*
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MOSFET, N-Kanal, 60V, 52A, PowerPAK 1212-8 (3 Angebote) 
Bezeichnung=MOSFET, Typ=SIS862ADN-T1-GE3, Abfallzeit=10 ns, Anstiegzeit=73 ns, Ausschaltverzögerung=21 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (V...
Vishay
SIS862ADN-T1-GE3
ab CHF 0.294*
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VISHAY SI7308DN-T1-E3 MOSFET N-KANAL, 60V, 6A, POWERPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom Id: 6 A Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Drain-Source-Spannung Vds: 60 V Verlustleistung: 19.8 W Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung,...
Vishay
SI7308DN-T1-E3
ab CHF 0.455*
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MOSFET, N-Kanal, 80V, 16A, PowerPAK 1212-8 (2 Angebote) 
Bezeichnung=MOSFET, Typ=SIS108DN-T1-GE3, Abfallzeit=5 ns, Anstiegzeit=5 ns, Ausschaltverzögerung=12 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)...
Vishay
SIS108DN-T1-GE3
ab CHF 0.325*
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VISHAY SI7309DN-T1-GE3 MOSFET P-KANAL -60V -8A POWERPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom I...
Vishay
SI7309DN-T1-GE3
ab CHF 2.165*
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MOSFET, N-Kanal, 80V, 33.7A, PowerPAK 1212-8 (3 Angebote) 
Bezeichnung=MOSFET, Typ=SIS128LDN-T1-GE3, Abfallzeit=25 ns, Anstiegzeit=18 ns, Ausschaltverzögerung=21 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (V...
Vishay
SIS128LDN-T1-GE3
ab CHF 0.34*
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VISHAY SISHA04DN-T1-GE3 MOSFET N-KANAL 30V, 40A, POWERPAK 1212-8 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 ohm Produktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: ...
Vishay
SISHA04DN-T1-GE3
ab CHF 0.33*
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Vishay SI7129DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,5 A 52,1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ Channel-Modus = ...
Vishay
SI7129DN-T1-GE3
ab CHF 2.265*
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VISHAY SISF02DN-T1-GE3 MOSFET 2FACH N-KANAL 25V POWERPAK 1212-8 (2 Angebote) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60 A Produktpalette: TrenchFET Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25...
Vishay
SISF02DN-T1-GE3
ab CHF 0.547*
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Vishay SI7309DN-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3.9 A 3200 mW, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3.9 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 115 mΩ Channel-Modus = ...
Vishay
SI7309DN-T1-E3
ab CHF 0.44*
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Vishay SI7129DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,5 A 52,1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ Channel-Modus = ...
Vishay
SI7129DN-T1-GE3
ab CHF 1’544.25*
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VISHAY SISHA10DN-T1-GE3 MOSFET N-KANAL 30V, 30A, POWERPAK 1212-8 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028 ohm Produktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: ...
Vishay
SISHA10DN-T1-GE3
ab CHF 0.26*
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Vishay SI7309DN-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,9 A 3,2 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 115 mΩ Channel-Modus = ...
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SI7309DN-T1-E3
ab CHF 1’154.34*
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VISHAY SQSA80ENW-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 N-KANAL, POWERPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom Id: 18 A Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Drain-Source-Spannung Vds: 80 V Verlustleistung: 62.5 W Qualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellens...
Vishay
SQSA80ENW-T1_GE3
ab CHF 1.905*
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Vishay SI7615ADN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 9,8 mΩ Channel-Modus = E...
Vishay
SI7615ADN-T1-GE3
ab CHF 0.39*
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