IGBT  (1'705 Angebote unter 5'235'762 Artikeln)

Ausgangsstrom = 1,9 A Versorgungsspannung = 20V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = SOIC Der on Semiconductor NCx57201 ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber u...

Dauer-Kollektorstrom max. = 140 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-3PFM Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 V Kontinui...

Dauer-Kollektorstrom max. = 15 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = EasyPIM Channel-Typ = N Pinanzahl = 23

Logik-Typ = PWM Ausgangsstrom = 6,5 A Versorgungsspannung = 20V Pinanzahl = 14 Gehäusegröße = SOIC

Dauer-Kollektorstrom max. = 12 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO252 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfi...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-3PFM Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 V Kontinui...

Dauer-Kollektorstrom max. = 15 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Single Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

Ausgangsstrom = 6,5 A Versorgungsspannung = 22V Pinanzahl = 8 Abfallzeit = 13ns Der on Semiconductor NCD57080B ist ein Hochstrom-IGBT-Einkanal-Gate-Treiber mit 3,75 kVeff interner galvanischer Tren...

Dauer-Kollektorstrom max. = 15 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247-3 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 V Kontinui...

Dauer-Kollektorstrom max. = 140 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO247-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3

Ausgangsstrom = 6,5 A Versorgungsspannung = 22V Pinanzahl = 8 Abfallzeit = 13ns Der on Semiconductor NCD57090 ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung,...

Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 460 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V K...