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"IGBT"

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ROHM IGBT / 75 A ±30V max. , 650 V 404 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Single Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65DHRC11
ab CHF 5.54*
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Infineon IGBT / 20 A 20V max. , 600 V 150 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = PG-TO252 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
Infineon
IKD10N60RATMA1
ab CHF 1.05*
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ROHM RGT8NS65DGC9 IGBT, 650V, 8A, 175DEG C, 65W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-262 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGT8NS65DGC9
ab CHF 0.796*
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Infineon IGBT / 220 A 20V max. 6-fach, 950 V 20 mW, 22-Pin Easypack N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 220 A Kollektor-Emitter-Spannung = 950 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Easypack Channel-Typ = N Pinanzahl = 22
Infineon
F3L400R10W3S7FB11BPSA1
ab CHF 194.57*
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ROHM IGBT / 75 A ±30V max. , 650 V 404 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 404 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EHRC11
ab CHF 5.04*
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Infineon IGBT / 2,2 A 20V max. , 600 V 5,1 W PG-SOT223-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 2,2 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 5,1 W Gehäusegröße = PG-SOT223-3
Infineon
IKN01N60RC2ATMA1
ab CHF 0.41*
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ROHM RGT8TM65DGC9 IGBT, 650V, 5A, 175DEG C, 16W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-220NFM Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Konti...
ROHM Semiconductor
RGT8TM65DGC9
ab CHF 0.734*
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Infineon IGBT / 20 A 25V max., 1200 V 288 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25V Verlustleistung max. = 288 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IHW20N120R5XKSA1
ab CHF 2.18*
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ROHM RGT16NS65DGC9 IGBT, 650V, 16A, 175DEG C, 94W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-262 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGT16NS65DGC9
ab CHF 1.004*
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 Stück
Infineon IGBT / 25 A 20V max. , 1200 V 231 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 231 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3
Infineon
IHW25N120E1XKSA1
ab CHF 2.16*
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ROHM RGTH00TK65GC11 IGBT, 650V, 35A, 175DEG C, 72W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-3PFM Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGTH00TK65GC11
ab CHF 2.65*
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Infineon IGBT / 20 A 20V max. 7-fach, 2,05 V 63,1 W, 24-Pin DIP N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 2,05 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 63,1 W Gehäusegröße = DIP Channel-Typ = N Pinanzahl = 24
Infineon
IM564X6DXKMA1
ab CHF 10.93*
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ROHM IGBT / 10 A ±30V max. , 650 V 106 W, 3-Pin TO-263L (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 106 W Gehäusegröße = TO-263L Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGT20NL65GTL
ab CHF 0.882*
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Infineon IGBT / 20 A ±20V max. , 650 V 70 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 70 W Gehäusegröße = To-247-3-HCC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanz...
Infineon
IKWH20N65WR6XKSA1
ab CHF 1.85*
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ROHM RGTH40TK65DGC11 IGBT, 650V, 23A, 175DEG C, 56W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-3PFM Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGTH40TK65DGC11
ab CHF 3.80*
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