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"IGBT"

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Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 20 mW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Konfiguration = Dreiphasenbrücke Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
FP150R12KT4BPSA1
ab CHF 3'321.22*
pro 10 Stück
 
 Packung
ROHM RGS00TS65HRC11 IGBT, 650V, 88A, 175°C, 326W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinu...
ROHM Semiconductor
RGS00TS65HRC11
ab CHF 3.72*
pro Stück
 
 Stück
ROHM RGT16TM65DGC9 IGBT, 650V, 9A, 175DEG C, 22W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220NFM Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Konti...
ROHM Semiconductor
RGT16TM65DGC9
ab CHF 0.967*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 160 A ±20V max., 600 V 714 W, 3-Pin PG-TO247-3-46 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = PG-TO247-3-46 Pinanzahl = 3
Infineon
IKQ100N60TXKSA1
ab CHF 7.53*
pro Stück
 
 Stück
ROHM RGS50TSX2DHRC11 IGBT, AEC-Q101, 1.2KV, 50A, 175°C (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 V Kontinu...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2DHRC11
ab CHF 5.53*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 160 A 20V max. , 600 V 833 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
Infineon
IKQ120N60TXKSA1
ab CHF 8.56*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 2,2 A 20V max. , 600 V 5,1 W PG-SOT223-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 2,2 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 5,1 W Gehäusegröße = PG-SOT223-3
Infineon
IKN01N60RC2ATMA1
ab CHF 0.41*
pro Stück
 
 Stück
ROHM RGS50TSX2HRC11 IGBT, AEC-Q101, 1.2KV, 50A, 175°C (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 V Kontinu...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2HRC11
ab CHF 4.49*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 20 A 20V max. , 600 V 150 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = PG-TO252 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
Infineon
IKD10N60RATMA1
ab CHF 0.65*
pro Stück
 
 Stück
ROHM RGT40NS65DGC9 IGBT, 650V, 40A, 175DEG C, 161W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-262 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGT40NS65DGC9
ab CHF 1.28*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 2,2 A 20V max. , 600 V 5,1 W PG-SOT223-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 2,2 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-SOT223-3
Infineon
IKN01N60RC2ATMA1
ab CHF 638.61*
pro 3'000 Stück
 
 Packung
ROHM RGS60TS65HRC11 IGBT, 650V, 56A, 175°C, 223W (1 Angebot) 
Produktpalette: Field Stop Trench RGS Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Sättigu...
ROHM Semiconductor
RGS60TS65HRC11
ab CHF 2.54*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 20 A 20V max. 7-fach, 2,05 V 63,1 W, 24-Pin DIP N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 2,05 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 63,1 W Gehäusegröße = DIP Channel-Typ = N Pinanzahl = 24
Infineon
IM564X6DXKMA1
ab CHF 10.93*
pro Stück
 
 Stück
ROHM RGT50NS65DGC9 IGBT, 650V, 48A, 175DEG C, 194W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-262 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGT50NS65DGC9
ab CHF 1.52*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 20 A 20V max. 7-fach, 2,05 V 63,1 W, 24-Pin DIP N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 2,05 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 63,1 W Gehäusegröße = DIP Channel-Typ = N Pinanzahl = 24 Die Infineon CIP...
Infineon
IM564X6DXKMA1
ab CHF 15.33*
pro Stück
 
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