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Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 26 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Pinanzahl = 3 Der Infineon bipolare Trans...
Infineon
IGB15N60TATMA1
ab CHF 1.30*
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ROHM RGTH40TK65GC11 IGBT, 650V, 23A, 175DEG C, 56W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-3PFM Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGTH40TK65GC11
ab CHF 2.80*
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Infineon IGBT / 26 A 20V max. , 600 V 130 W TO-220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 26 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-220-3
Infineon
IGP15N60TXKSA1
ab CHF 0.90*
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65EHRC11
ab CHF 4.54*
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Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 26 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Pinanzahl = 3
Infineon
IGB15N60TATMA1
ab CHF 0.86*
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 144 W To-247GE (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 144 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH40TS65DGC13
ab CHF 2.76*
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Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1350 V 330 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1350 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Der reversierende...
Infineon
IHW30N135R5XKSA1
ab CHF 2.54*
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 348 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 348 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65EHRC11
ab CHF 4.13*
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Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1350 V 330 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1350 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 330 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3
Infineon
IHW30N135R5XKSA1
ab CHF 2.63*
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 Stück
ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 144 W To-247GE (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 144 W Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGTH40TS65GC13
ab CHF 1.92*
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STMICROELECTRONICS STGB20H65DFB2 IGBT, 650V, 40A, TO-263/D2PAK (1 Angebot) 
Produktpalette: HB2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 ...
ST Microelectronics
STGB20H65DFB2
ab CHF 0.894*
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Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1600 V 263 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Der reversierende...
Infineon
IHW30N160R5XKSA1
ab CHF 3.38*
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ROHM RGTH50TK65GC11 IGBT, 650V, 26A, 175DEG C, 59W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-3PFM Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinui...
ROHM Semiconductor
RGTH50TK65GC11
ab CHF 2.16*
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Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Single Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfig...
Infineon
IKD15N60RFATMA1
ab CHF 0.90*
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STMICROELECTRONICS STGF20M65DF2 IGBT, 650V, 40A, 175°C, 32,6W (1 Angebot) 
Produktpalette: 650V M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-220FP Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 V Kontinuierlicher Kollekto...
ST Microelectronics
STGF20M65DF2
ab CHF 0.716*
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